Научный руководитель диссертации – член-корреспондент РАН, доктор технических наук, профессор, директор НОЦ «Нанотехнологии» ЮФУ Агеев Олег Алексеевич.

Официальными оппонентами выступили чл.-корр. РАН, д.ф.-м.н., проректор по науке, заведующий лабораторией нанофотоники СПбАУ РАН Жуков Алексей Евгеньевич;

д.ф.-м.н., доцент кафедры физики конденсированных сред НИЯУ МИФИ Васильевский Иван Сергеевич. В своем выступлении оппоненты высоко оценили результаты представленной работы, отметив повышенную актуальность и большую научную и практическую значимость работы.

Балакирев Сергей Вячеславович, 01 мая 1991 года рождения.

В 2014 г. окончил федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Южный федеральный университет» по специальности 222900 «Нанотехнологии и микросистемная техника».

В 2018 г. окончил очную аспирантуру Южного федерального университета и работает в должности ассистента кафедры нанотехнологий и микросистемной техники ИНЭП ЮФУ.

Балакирев С.В. с 2010 года неоднократно занимал призовые места на научных всероссийских и международных конференциях с докладами на русском и английском языках. В 2011 году был награжден дипломом Южного федерального университета за особые достижения в научной и учебной деятельности, является лауреатом молодежного научно-инновационного конкурса «У.М.Н.И.К.» 2017 г., победителем конкурса на получении стипендии Правительства РФ для студентов и аспирантов, обучающихся по приоритетным направлениям модернизации и технологического развития российской экономики, а также конкурсов на получение стипендий ФЦК Южного федерального университета и ФЦК «Образование и наука ЮФО» и ОАО КБ «Центр-инвест».

Балакирев С.В. принимал и принимает активное участие в выполнении исследовательских проектов, поддержанных Российским научным фондом (проект №15-19-10006), Российским фондом фундаментальных исследований (проект №16-37-60033), Советом по грантам Президента РФ (проект № МК-2629.2017.8).

Результаты научно-исследовательской деятельности Балакирева С.В. (Web of Science: h-index – 4) представлены 19 статьями в журналах из списка, рекомендованного ВАК, в том числе 17 публикациями в изданиях, индексируемых в системах научного цитирования Web of Science и Scopus, и тезисами более 40 докладов в сборниках российских и международных конференций. Материалы диссертационной работы были представлены автором лично в виде докладов на всероссийских и международных конференциях: European Workshop on Molecular Beam Epitaxy (Ленгрис, Германия, 2019 г.; Санкт-Петербург, 2017;), International Conference on Molecular-Beam Epitaxy (г. Шанхай, Китай, 2018; г. Монпелье, Франция, 2016), European School on Crystal Growth (г. Варна, Болгария, 2018), Compound Semiconductor Week (г. Берлин, Германия, 2017; г. Кембридж, США, 2018), International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (г. Нагойя, Япония, 2016), North American Molecular Beam Epitaxy Conference (г. Ривьера-Майя, Мексика, 2015; г. Нью-Йорк, США, 2016), European Conference on Crystal Growth (г. Болонья, Италия, 2015), International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures (г. Санкт-Петербург, 2016, 2017, 2018, 2019), International Conference on Micro- and Nanoelectronics (г. Звенигород, 2016), International Conference on Computer Simulation in Physics and beyond (г. Москва, 2015), Ежегодная научная конференция студентов и аспирантов базовых кафедр Южного научного центра РАН (г. Ростов-на-Дону, 2013, 2014, 2015), Молодежная научная конференция NanoTech-2015 (г. Таганрог, 2015) и др.

Диссертация «Разработка и исследование технологических основ синтеза самоорганизующихся наноструктур In(As)/AlGaAs методом капельной эпитаксии для элементов нанофотоники» выполнена на кафедре нанотехнологий и микросистемной техники с использованием оборудования НОЦ «Нанотехнологии» федерального государственного автономного образовательного учреждения высшего образования «Южный федеральный университет».

В основу работы легли теоретические и экспериментальные результаты, полученные в ходе выполнения проекта РНФ №15-19-10006 «Эпитаксиальные гетероструктуры с регулярными массивами самоорганизующихся наноструктур А3В5». Представленная работа направлена на решение актуальной научной задачи – разработки технологии синтеза самоорганизующихся наноструктур в системе InAs/AlGaAs методом капельной эпитаксии для создания на их основе активных элементов устройств нанофотоники, в том числе однофотонных излучателей. Актуальность данной тематики обусловлена возможностью использования таких излучателей в качестве источников сигнала в защищенных каналах связи, основанных на методе квантовой криптографии, а также для генерации кубитов, используемых в квантовых компьютерах.